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91.
分析了衬板槽平面与叉头十字轴孔轴线的相对位置对辊端接头应力的影响 ,研究了轧辊扁头与衬板之间间隙所产生的冲击和应力集中 ,讨论了辊端接头中部过渡段结构对应力分布和制造质量的影响。提出辊端接头结构设计的优化方案  相似文献   
92.
An electron Penning-Malmberg trap,which can confine an electron column and provide a good platform to investigate the cross-filed transportation of strongly magnetized electron plasma ,has been set up.With the device,an electron plasma with a density of 10^7 cm^-3 can be confined for a relatively long time.The structure of the trap,electron source,as well as the way how th measure electron plasma density profile and velocity distrbustion are introduced in detail.  相似文献   
93.
陈志平  张敏 《机电工程》2002,19(3):52-55
比较了几种长距离传动方式的特点与适用场合,重点探讨了实现长距离精密传动的技术要点。结合实际工程,完成了长距离钢带精密传动的应用,并指出张紧机构的设计与应用是钢带实现长距离精密传动的关键。为此文中对钢带传动的典型张紧机构进行了比较,并分析了这几类张紧机构的应用情况,有参考和应用价值。  相似文献   
94.
色用缓变光纤中交叉相位调制不稳定性分析   总被引:7,自引:2,他引:5  
杨爱玲  王晶等 《光电子.激光》2002,13(8):810-813,817
从非线性薛定谔方程出发得到了色散缓变光纤(DDF)中交叉相位调制(XPM)不稳定增益谱。研究了增益谱随入纤功率及光纤纵向色散参量的变化关系。结果表明:反常色散区的增益谱宽比正常色散区宽,且峰值增益高:DDF中XPM不稳定增益谱宽比常规光纤的宽,二者的比值随传输距离和光纤色散参量的乘积成指数增长;DDF的反常色散区是产生调制不稳定的较好的色散介质。  相似文献   
95.
纳米碳酸钙制备过程中添加剂作用机理探讨   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用鼓泡碳化法 ,在最佳反应温度、反应物浓度的条件下 ,考察了添加剂对产物形状及粒径大小的影响 ,得到了直径为 2 0~ 30nm、长径比在 2 0左右且分散性能良好的针状纳米碳酸钙 ,并对添加剂作用机理进行了分析。  相似文献   
96.
针对复合材料超声直线电机振动体具有两个固有频率的特点,设计了具有频率跟踪特性的超声直线电机驱动器,利用激励信号频率变化改变电机运动方向,实现了超声直线电机的运动控制。  相似文献   
97.
提出了一种基于RBF网络扰动力矩补偿的控制技术,通过在传统PID控制的基础上,引入RBF网络补偿环节,进一步抑制了扰动力矩的影响,提高了卫星姿态控制精度,首先给出了RBF网络的学习算法,然后根据全补偿原则设计了神经网络补偿姿态控制方案,最后结合某型卫星的姿态控制系统设计实例,进行了数学仿真,结果表明:有RBF网络补偿的系统,姿态的稳态精度得到了明显的改善。  相似文献   
98.
头盔显示器光学系统的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
HMD光学系统的设计非常具有挑战性。本文介绍了HMD光学系统的工作原理和一般组成。理想的HMD光学系统应该重量轻、体积小。为满足这些要求,文中描述了改进传统的HMD光学系统的两种方法,一种是用头盔护目镜和FFS棱镜重新构造HMD光学系统,另一种是用HOE和BOE替代传统的光学元件。这些模式比传统HMD光学系统优越,而且能使HMD光学系统体积小,重量轻。  相似文献   
99.
HT-7U纵场磁体的真空压力浸渍   总被引:3,自引:0,他引:3  
主要通过模拟匝间流动试验、短样试验和长样试验等 ,探求低温超导托卡马克HT 7U中纵场磁体线圈的绝缘层真空压力浸渍的工艺参数 ,确定工艺流程 ,并以模型线圈试验的电性能和液氦温度下的力学性能来验证工艺参数及工艺流程的可靠性。  相似文献   
100.
以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜  相似文献   
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